习题

3.1 图题3.1b、c、d所示是三种不同类型的场效应晶体管的转移特性曲线，试判断它们各属于什么类型的场效应晶体管（N沟道、P沟道；结型、绝缘栅型；增强型、耗尽型）。

3.2 已知某N沟道增强型MOS场效应晶体管的U_GS(th)=4V。表题3.2给出了四种状态下u_GS和u_DS的值，判断各状态下管子工作在什么区，用A、B、C填入表内。（A.恒流区；B.可变电阻区；C.截止区）

3.3 已知某场效应晶体管的输出特性如图题3.3所示，试求管子的下列参数。

（1）试判断它是何种类型的场效应晶体管？求其夹断电压U_GS(off)或开启电压U_GS(th)。

（2）u_GS=3V时的漏源击穿电压U_（BR）DS。

（3）u_DS=10V、i_D=3mA时的跨导g_m。

（4）画出u_DS=10V时的转移特性曲线。

3.4 电路如图题3.4所示，管子的U_GS(th)=3V，输出特性曲线如图题3.4所示，试分析当u_I=2V、5V、6V三种情况下，场效应晶体管分别工作在什么区域。

3.5 判断图题3.5所示场效应晶体管放大电路能否进行正常放大，并说明理由。

3.6 在图题3.6所示电路中，U_DD=20V，R_d=R_s=10kΩ，R_g=1MΩ，R_g1=50kΩ，R_g2=150kΩ，管子的参数为I_DSS=1mA，U_GS(off)=-5V。

（1）求静态工作点Q。

（2）画出小信号等效电路。

（3）计算电压放大倍数、输入电阻R_i和输出电阻R_o。

3.7 共漏场效应晶体管放大电路如图题3.7所示。已知场效应晶体管在工作点处的跨导g_m=0.9mS，试画出小信号等效电路，并求、R_i和R_o。

3.8 场效应晶体管放大电路如图题3.8a所示，已知放大电路工作时i_D与u_GS的关系如图题3.8b所示，试确定电路中的U_GSQ、I_DQ、U_DSQ以及电路的电压放大倍数。

3.9 已知图题3.9所示电路中场效应晶体管的跨导g_m=3mS，电容足够大，对交流信号可视为短路。

（1）求电压放大倍数、输入电阻R_i、输出电阻R_o。

（2）若C_s开路，则变为多大？

3.10 增强型MOS管电路如图题3.10所示，当逐渐增加U_DD时，R_d两端电压也不断增大，但当U_DD≥18V后，R_d两端电压固定为15V，不再随之增大，试求该管子的U_GS(th)和I_DO。